什麼是雷射退火

以雷射光僅在極短時間內加熱晶圓表面附近的熱處理。幾乎不引起擴散,卻能獲得高活化率。

日文名稱: レーザーアニール

「雷射退火」出現在2領域的4道練習題中(離子佈植, 氧化與擴散等)。

這個名詞所屬的領域: 離子佈植

練習雷射退火的題目

雷射退火的特徵,下列何者正確?

  1. A長時間均勻加熱整片晶圓
  2. B在低溫下緩慢加熱
  3. C可在極短時間內僅加熱晶圓表面附近,在抑制擴散的同時得到高活化
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正確答案:C. 可在極短時間內僅加熱晶圓表面附近,在抑制擴散的同時得到高活化

雷射退火是以雷射光在微秒~奈秒左右的極短時間內,僅使表面附近達到1000 ℃以上(依條件有時接近熔點)。可在雜質幾乎來不及擴散時就得到高活化,因此能形成淺而低電阻的接面。由於熱不會傳到很深處,也用於IGBT背面層的形成、堆疊於上層的電晶體形成等不希望損傷下層的製程。

解析中的「雷射退火」

出現「雷射退火」的題目(4題)

  1. 雷射退火的特徵,下列何者正確?
  2. 以燈管等逐片將晶圓在數秒左右的短時間內加熱至高溫的熱處理稱為什麼?
  3. 離子佈植後進行退火(熱處理)的主要目的,下列何者正確?
  4. 為了在微細電晶體的源極、汲極形成淺接面,下列何種做法正確?

相關名詞

退火 IGBT RTP(快速熱處理) 離子佈植 施體 受體 尖峰退火 佈植劑量 投影射程 固溶度

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