功率半導體 關於矽功率MOSFET中耐壓與導通電阻的關係，下列何者正確？ A耐壓與導通電阻無關 B提高耐壓，導通電阻容易變小 C提高耐壓，導通電阻容易變大 查看答案與解析 正確答案：C. 提高耐壓，導通電阻容易變大 要提高耐壓，就必須讓承受電壓的漂移層變厚、雜質濃度變低，其電阻也隨之增加。理論上，Si單極性元件的導通電阻與耐壓的約2.5次方成正比，耐壓加倍時導通電阻約為5.7倍（矽極限）。為了打破這種取捨，人們採用超接面結構，以及崩潰電場高的SiC與GaN。