MOSFET
關於MOSFET作為開關使用時的「導通電阻」的說明，下列何者正確？
- A關閉時源極-汲極間的電阻
- B閘極電極本身的電阻
- C導通時源極-汲極間的電阻，越小損耗越少
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正確答案：C. 導通時源極-汲極間的電阻，越小損耗越少
導通電阻RDS(on)是MOSFET導通時汲極-源極間的電阻，導通損耗為 I²R。例如10 mΩ流過10 A，就會有1 W的損耗。閘極電壓越高，通道的載子越多而使其變小，溫度上升則會變大（100 ℃時約為1.5倍可作為參考）。在功率MOSFET中，提高耐壓會使導通電阻急遽增加，因此會使用打破這種取捨的超接面結構與SiC。
- A. 關閉時的電阻非常大，不稱為導通電阻。
- B. 閘極電極的電阻稱為閘極電阻，是另一回事。
- C. 正確。是導通時的汲極-源極間電阻。