什麼是飽和區

雙載子電晶體的基極-射極接面與基極-集極接面都處於順向偏壓的狀態。集極-射極間電壓降到約 0.1〜0.3 V,相當於開關導通。

日文名稱: 飽和領域

「飽和區」出現在1領域的5道練習題中(雙載子電晶體等)。

這個名詞所屬的領域: 雙載子電晶體

練習飽和區的題目

矽雙極性電晶體處於飽和區時,集極-射極間電壓的參考值,下列何者正確?

  1. A約0.1〜0.3 V
  2. B約5 V
  3. C約20 V
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正確答案:A. 約0.1〜0.3 V

在飽和區,兩個接面皆為順向偏壓,兩個接面的順向電壓幾乎互相抵消,因此VCE(sat)很小,約為0.1〜0.3 V。這相當於開關導通時的壓降,損耗為 VCE(sat) × IC。在大電流下,集極的電阻成分會加入,使VCE(sat)變大。與MOSFET導通電阻造成的壓降相比,在低電壓、大電流時,MOSFET往往較有利。

雙極性電晶體處於飽和區時,接面的狀態下列何者正確?

  1. A基極-射極接面與基極-集極接面皆為順向偏壓
  2. B兩個接面皆為逆向偏壓
  3. C基極-射極接面為逆向偏壓,基極-集極接面為順向偏壓
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正確答案:A. 基極-射極接面與基極-集極接面皆為順向偏壓

在飽和區,除了基極-射極接面之外,基極-集極接面也呈順向偏壓。集極電流受外部電路(VCC/RC等)限制,即使增加基極電流也幾乎不會增加。此時 IC/IB 小於hFE,稱之為「強制β」,作為飽和深度的參考。在開關導通狀態下,VCE小到約0.1〜0.2 V,但要注意儲存電荷會使關閉延遲。

解析中的「飽和區」

出現「飽和區」的題目(5題)

  1. 矽雙極性電晶體處於飽和區時,集極-射極間電壓的參考值,下列何者正確?
  2. 雙極性電晶體處於飽和區時,接面的狀態下列何者正確?
  3. NPN電晶體用於放大(在主動區工作)時,正確的偏壓條件是哪一個?
  4. 將雙極性電晶體當作開關使用時,對應於導通狀態的工作區是哪一個?
  5. 以基極電流IB為參數繪出共射極電晶體的輸出特性(IC-VCE特性)時,主動區的特徵下列何者正確?

相關名詞

順向偏壓 電流增益(hFE) 截止區 主動區 厄利效應 交越失真 共射極電路 米勒效應 射極隨耦器 達靈頓連接

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