將單側的雜質濃度降低的PN接面，其崩潰電壓一般會如何？

正確答案：C. 變高

雜質濃度低時，即使電壓相同，空乏區也延伸得更寬，接面內的電場變弱。因此要達到臨界電場（矽約為3×10⁵ V/cm）需要更高的電壓，崩潰電壓也就變高。崩潰電壓大致與濃度的−3/4次方成正比，在600 V等級中，漂移層的濃度為10¹⁴ cm⁻³等級。不過低濃度、厚膜化會使導通電阻增加，因此與耐壓之間存在取捨。

• A. 崩潰電壓強烈依賴於雜質濃度。
• B. 高濃度時崩潰電壓變低，低濃度時變高。
• C. 正確。空乏區變寬、電場變弱，因此崩潰電壓變高。