功率半導體
在功率MOSFET中，將閘極埋入矽中挖出的溝槽內的溝槽閘極結構，其主要優點為下列何者？
- A閘極電容變為零
- B耐壓一定變為2倍
- C可高密度排列單元以增加通道寬度，降低導通電阻
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正確答案：C. 可高密度排列單元以增加通道寬度，降低導通電阻
在溝槽閘極結構中，通道垂直形成於溝槽側壁，因此比平面（planar）型能在單位面積內排列更多單元，通道的總寬度增加。此外，平面型在相鄰單元之間形成的電阻（JFET電阻）也消失了，可降低導通電阻。它是低耐壓Si MOSFET與IGBT，以及近來SiC MOSFET的主流，但因為電場會集中在溝槽底部的角落，其保護結構相當重要。
- A. 閘極電容不會消失，反而有增加的傾向。
- B. 耐壓主要由漂移層決定，光靠結構並不會變為2倍。
- C. 正確。高密度化單元以降低導通電阻。