功率半導體
關於超接面（SJ）MOSFET的特徵，下列何者正確？
- A在漂移層中交錯排列p型與n型的柱，在維持耐壓的同時降低導通電阻
- B具有2個閘極
- C將閘極氧化膜加得非常厚來提高耐壓
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正確答案：A. 在漂移層中交錯排列p型與n型的柱，在維持耐壓的同時降低導通電阻
超接面結構是在漂移層中交錯排列p型與n型的柱。截止時，橫向也會空乏化，使整個柱成為空乏層，因此即使n柱濃度高也能維持高耐壓；導通時，電流則流經高濃度的n柱。這使得600 V等級Si MOSFET的導通電阻可降至傳統矽極限的數分之一，廣泛用於電源與PFC電路。其關鍵在於能精密平衡p、n電荷的製造技術。