功率半導體
關於矽MOSFET與IGBT的一般使用區分，下列何者正確？
- AMOSFET適合較低電壓的高速切換，IGBT適合數百V以上的高電壓、大電流
- BIGBT適合低電壓、小電流，MOSFET適合高電壓、大電流
- C兩者只能用於相同的用途
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正確答案：A. MOSFET適合較低電壓的高速切換，IGBT適合數百V以上的高電壓、大電流
矽MOSFET僅以多數載子運作，因此速度快，但耐壓一高導通電阻就急遽增大，所以大致用於數百V以下，尤其是低電壓的電源。IGBT藉由導電度調變，即使高耐壓也能將導通電壓維持得低，適合600 V以上的大電流用途（EV、工業用逆變器、鐵路），但因尾電流而偏慢。如今在這中間～高耐壓的領域，SiC MOSFET正逐漸取代兩者。
- A. 正確。MOSFET適合高速、中低壓，IGBT適合高壓、大電流。
- B. 用途顛倒了。
- C. 會依電壓與頻率來區分使用。