對於用於 LOCOS 等元件隔離的場氧化層，與 MOSFET 的閘極氧化層，兩者厚度的關係一般何者正確？

正確答案：C. 場氧化層厚得多

場氧化層為了避免通過其上的配線與矽之間的寄生電晶體導通，做得很厚，約數百 nm。這是因為越厚，寄生電晶體的臨界電壓就越高。另一方面，閘極氧化層為了讓閘極的電場強烈傳到通道，非常薄，約數 nm，兩者相差 100 倍以上。同一晶片上，也會分別使用較厚的閘極氧化層作為輸入輸出用。

• A. 閘極氧化層為了強烈傳遞電場而做得很薄。
• B. 由於作用不同，厚度差異很大。
• C. 正確。元件隔離用的氧化層做得厚得多。