氧化與擴散
在 LOCOS 中，氮化膜遮罩下方的矽表面形成薄氮化物，使後續的閘極氧化層局部變薄或不良的現象稱為什麼？
- A碟形凹陷
- B鳥嘴效應
- CKooi 效應（白帶效應）
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正確答案：C. Kooi 效應（白帶效應）
場氧化期間，氮化膜與水蒸氣反應生成氨，可能使氮化膜邊緣下方的矽表面被氮化。若這種氮化物像白色緞帶一樣殘留，後續閘極氧化時該處的氧化層會變薄，成為耐壓不良的原因。因 1976 年由 Kooi 等人報告而稱為 Kooi 效應，對策是先進行一次氧化，連同氮化物一起去除的犧牲氧化。
- A. 碟形凹陷是 CMP 時配線中央凹陷的現象。
- B. 鳥嘴效應是氧化層侵入氮化膜邊緣下方的現象。
- C. 正確。這是氮化物使閘極氧化層局部不良的現象。