為了釋放應變,在晶格常數不同的晶體界面產生的差排。成長層超過臨界厚度時發生。
日文名稱: ミスフィット転位
這個名詞所屬的領域: 磊晶成長
4H-SiC 自摻雜 異質磊晶 貫穿差排 晶格不匹配 超晶格 階梯流成長 磊晶成長 橫向磊晶成長(ELO) 選擇性磊晶成長
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