データシートに RDS(on) = 10 mΩ(Tj = 25 ℃、VGS = 10 V)とあるシリコンのパワーMOSFETを、Tj = 125 ℃付近で使うときの考え方として正しいものはどれか。

正解：B. RDS(on)は高温ほど大きくなるので、温度特性のグラフで高温での値に補正して損失を見積もる

シリコンのパワーMOSFETのRDS(on)は、温度が上がるとキャリアの移動度が下がるため大きくなり、125 ℃では25 ℃のおよそ1.5〜2倍になるのが一般的です。データシートには、25 ℃を1とした正規化RDS(on)の温度特性グラフが載っています。導通損失 I²R を25 ℃の値で計算すると損失を過小評価し、発熱でさらに抵抗が上がる悪循環を見落とします。この正の温度係数は、並列接続した素子の電流を均等にする方向にはたらく利点もあります。