Wat is HBT (heterojunctie-bipolaire transistor)?

Antwoord: B. Door de heterojunctie met SiGe in de basis kan hij gemakkelijk tot hoge frequenties werken

Een SiGe-HBT is een heterojunctie-bipolaire transistor met SiGe, met een kleine bandgap, in de basis. Het verschil in bandgap tussen emitter en basis onderdrukt omgekeerde injectie van gaten, zodat de basis hoger gedoteerd en dunner kan worden met behoud van de injectie-efficiëntie, en door een gradiënt in de Ge-concentratie kan in de basis een veld worden opgewekt dat de elektronen versnelt. Met een fT van enkele honderden GHz en doordat hij in een siliciumproces kan worden gemaakt, wordt hij gebruikt in hoogfrequentschakelingen van smartphones, optische communicatie en radar voor voertuigen.

Antwoord: B. Snelle hoogfrequente schakelingen voor optische en draadloze communicatie

Bij HBT's van verbindingshalfgeleiders onderdrukt een emitter met brede bandgap de teruginjectie van gaten, zodat de basis hoog gedoteerd en dun kan zijn, en de hoge elektronenmobiliteit maakt ze snel. HBT's op basis van GaAs (InGaP/GaAs) werken met een enkele voeding en hebben een hoog rendement; zij vormen de hoofdmoot van zendvermogensversterkers in smartphones. HBT's op basis van InP, met een fT van enkele honderden GHz, worden gebruikt in elektronische schakelingen voor optische communicatie boven 100 Gb/s en in onderzoek aan terahertzbanden.