Toestand van een bipolaire transistor waarin zowel de basis-emitter- als de basis-collectorjunctie in doorlaatrichting staat. De collector-emitterspanning daalt tot ongeveer 0,1 tot 0,3 V, wat overeenkomt met een ingeschakelde schakelaar.
Japanse benaming: 飽和領域
“Verzadigingsgebied (saturation region)” komt voor in 11 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. MOSFET, Bipolaire transistor.
Vakgebied: Bipolaire transistor
Antwoord: A. Circa 0,1 tot 0,3 V
In het verzadigingsgebied staan beide overgangen in doorlaatrichting en heffen de doorlaatspanningen van de twee overgangen elkaar vrijwel op, zodat VCE(sat) klein is, circa 0,1 tot 0,3 V. Dit is de spanningsval in de aan-toestand van de schakelaar en het verlies is VCE(sat) × IC. Bij grote stromen komt de collectorweerstand erbij en wordt VCE(sat) groter. Vergeleken met de spanningsval door de aan-weerstand van een MOSFET is een MOSFET bij lage spanning en grote stroom vaak voordeliger.
Antwoord: A. Zowel de basis-emitterovergang als de basis-collectorovergang in doorlaatrichting
In het verzadigingsgebied staat naast de basis-emitterovergang ook de basis-collectorovergang in doorlaatrichting. De collectorstroom wordt door de uitwendige schakeling (VCC/RC enz.) begrensd en neemt bij een grotere basisstroom nauwelijks toe. IC/IB is dan kleiner dan hFE en wordt "geforceerde β" genoemd en dient als maat voor de diepte van verzadiging. In de aan-toestand van de schakelaar is VCE klein, circa 0,1 tot 0,2 V, maar er moet rekening worden gehouden met vertraagd uitschakelen door opgeslagen lading.
In het verzadigingsgebied staan beide overgangen in doorlaatrichting en heffen de doorlaatspanningen van de twee overgangen elkaar vrijwel op, zodat VCE(sat) klein is, circa 0,1 tot 0,3 V.
Welke richtwaarde voor de collector-emitterspanning van een…In het verzadigingsgebied staat naast de basis-emitterovergang ook de basis-collectorovergang in doorlaatrichting.
Welke toestand van de overgangen is juist wanneer een bipol…In het verzadigingsgebied van een lang-kanaal MOSFET geldt ID = (1/2)μCox(W/L)(VGS − Vth)², dus de drainstroom is evenredig met het kwadraat van (VGS − Vth) (kwadratische wet).
Waaraan is de drainstroom ID ongeveer evenredig wanneer een…In het verzadigingsgebied ontstaat aan de drainzijde een pinch-off-punt waar het kanaal verdwijnt.
Hoe heet het verschijnsel waarbij in een MOSFET in het verz…Dit is het verzadigingsgebied.
Welke voorwaarde is juist voor het werken van een lang-kana…Stroomversterkingsfactor (hFE) Aan-weerstand (on-resistance) Snelheidsverzadiging (velocity saturation) Kanaallengtemodulatie Drempelspanning (threshold voltage) Early-effect Transconductantie Actief gebied Afsnijgebied (cut-off) Common-emitterschakeling