Was ist Sättigungsbereich (saturation region)?

Zustand eines Bipolartransistors, in dem sowohl der Basis-Emitter- als auch der Basis-Kollektor-Übergang in Durchlassrichtung betrieben werden. Die Kollektor-Emitter-Spannung fällt auf etwa 0,1 bis 0,3 V, entsprechend einem eingeschalteten Schalter.

Japanische Bezeichnung: 飽和領域

Fachgebiet: Bipolartransistoren

Verwandte Begriffe

Darlington-Schaltung (Darlington connection) Early-Effekt Emitterfolger (emitter follower) Emitterschaltung HBT (Heterostruktur-Bipolartransistor) Miller-Effekt (Miller effect) Normaler Aktivbetrieb (Vorwärts-Aktivbereich) Sperrbereich (cutoff region) Stromspiegel (current mirror) Stromverstärkung (hFE)

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