Nederlands
Menu

MOSFET

Welke voorwaarde is juist voor het werken van een lang-kanaal nMOSFET in het verzadigingsgebied? (Neem VGS > Vth aan)

  1. AVDS = 0
  2. BVDS < VGS − Vth
  3. CVDS ≥ VGS − Vth
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. VDS ≥ VGS − Vth

Wanneer VGS > Vth en er een kanaal is, komt bij VDS ≥ VGS − Vth de gate-kanaalspanning aan de drainrand onder Vth, waardoor het kanaal pinch-off krijgt en de drainstroom nauwelijks van VDS afhangt. Dit is het verzadigingsgebied. Versterkers werken in dit gebied, en de minimaal benodigde VDS (= VGS − Vth) vormt de ondergrens van de uitgangsswing. Bij korte kanalen verzadigt de stroom door snelheidsverzadiging bij een lagere VDS.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Wat gebeurt er met de drempelspanning als de onzuiverheidsconcentratie van het kanaalgebied (p-type substraat) van een nMOSFET wordt verhoogd?
  2. Wat gebeurt er in het algemeen met de grootte van de drempelspanning van een nMOSFET als de gate-isolator dikker wordt gemaakt zonder andere condities te wijzigen?
  3. Welke relatie tussen de gatelengte (lengte van de gate-elektrode op het masker of na bewerking) en de effectieve kanaallengte van een MOSFET is in het algemeen juist?
  4. Welke uitleg over punch-through van een MOSFET is juist?
  5. Hoe hoog stijgt de uitgangsspanning ongeveer in een pass-transistor (schakelaar) met slechts één nMOSFET, wanneer de gate op de voedingsspanning VDD staat en VDD van de ingang naar de uitgang wordt doorgegeven?

Vergelijkingen bij dit onderwerp