Bipolaire transistor

Welke uitspraak over het actieve gebied is juist als de uitgangskarakteristiek (IC-VCE) van een transistor in gemeenschappelijke-emitterschakeling met de basisstroom IB als parameter wordt getekend?

  1. AElke kromme is een rechte door de oorsprong
  2. BPer IB staan vrijwel horizontale lijnen die weinig van VCE afhangen
  3. CAls IB toeneemt, neemt IC af
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Per IB staan vrijwel horizontale lijnen die weinig van VCE afhangen

In het actieve gebied wordt de collectorstroom vrijwel door de basisstroom bepaald en hangt weinig van VCE af, zodat de uitgangskarakteristiek per IB vrijwel horizontale lijnen vertoont waarvan de afstand overeenkomt met hFE. De lichte stijging naar rechts is het gevolg van het Early-effect; de omgekeerde waarde van de helling is de uitgangsweerstand ro. Het deel nabij de oorsprong waar IC sterk oploopt is het verzadigingsgebied en het gebied onder de lijn IB = 0 is het afsnijdgebied. Door in deze figuur een belastingslijn te leggen, kunnen werkpunt en amplitude worden afgelezen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Wat stelt de "belastingslijn" voor die in de figuur van de uitgangskarakteristiek van een transistorversterker wordt getekend?
  2. Welke waarde benadert het maximale vermogensrendement van een ideale klasse-B-push-pullversterker het best?
  3. Wat is het belangrijkste doel van een weerstand in serie met de basis in een schakeling waarin een transistor als schakelaar wordt gebruikt?
  4. Welke uitspraak over het verschil tussen de gelijkstroomversterking hFE en de kleinsignaalstroomversterking hfe is juist?
  5. Welk model beschrijft het grootsignaalgedrag van een bipolaire transistor met twee diodes en stroombronnen?

Vergelijkingen bij dit onderwerp