Nederlands
Menu

Bipolaire transistor

Welke richtwaarde voor de collector-emitterspanning van een bipolaire siliciumtransistor in het verzadigingsgebied is juist?

  1. ACirca 0,1 tot 0,3 V
  2. BCirca 5 V
  3. CCirca 20 V
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Circa 0,1 tot 0,3 V

In het verzadigingsgebied staan beide overgangen in doorlaatrichting en heffen de doorlaatspanningen van de twee overgangen elkaar vrijwel op, zodat VCE(sat) klein is, circa 0,1 tot 0,3 V. Dit is de spanningsval in de aan-toestand van de schakelaar en het verlies is VCE(sat) × IC. Bij grote stromen komt de collectorweerstand erbij en wordt VCE(sat) groter. Vergeleken met de spanningsval door de aan-weerstand van een MOSFET is een MOSFET bij lage spanning en grote stroom vaak voordeliger.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Welke schakeling gebruikt twee transistoren met gelijke eigenschappen en laat door de ene transistor dezelfde stroom vloeien als die welke door de andere is gestuurd?
  2. Welke uitspraak over de werking van een differentieel paar, waarin de emitters van twee transistoren op een gemeenschappelijke stroombron zijn aangesloten, is juist?
  3. Hoeveel bedraagt de steilheid gm van een bipolaire transistor die bij een collectorstroom van 1 mA werkt ongeveer? (kamertemperatuur, thermische spanning VT ≈ 26 mV)
  4. Wat is het belangrijkste gebruik van een optocoupler, waarin een led en een fototransistor in één package zijn gecombineerd?
  5. Wat is de belangrijkste reden om in een transistorversterker een stroomgekoppelde biasschakeling met emitterweerstand te gebruiken?

Vergelijkingen bij dit onderwerp