Nederlands
Menu

Bipolaire transistor

Welke toestand van de overgangen is juist wanneer een bipolaire transistor in het verzadigingsgebied is?

  1. AZowel de basis-emitterovergang als de basis-collectorovergang in doorlaatrichting
  2. BBeide overgangen in sperrichting
  3. CDe basis-emitterovergang in sperrichting en de basis-collectorovergang in doorlaatrichting
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Zowel de basis-emitterovergang als de basis-collectorovergang in doorlaatrichting

In het verzadigingsgebied staat naast de basis-emitterovergang ook de basis-collectorovergang in doorlaatrichting. De collectorstroom wordt door de uitwendige schakeling (VCC/RC enz.) begrensd en neemt bij een grotere basisstroom nauwelijks toe. IC/IB is dan kleiner dan hFE en wordt "geforceerde β" genoemd en dient als maat voor de diepte van verzadiging. In de aan-toestand van de schakelaar is VCE klein, circa 0,1 tot 0,2 V, maar er moet rekening worden gehouden met vertraagd uitschakelen door opgeslagen lading.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Welke uitspraak over het actieve gebied is juist als de uitgangskarakteristiek (IC-VCE) van een transistor in gemeenschappelijke-emitterschakeling met de basisstroom IB als parameter wordt getekend?
  2. Wat stelt de "belastingslijn" voor die in de figuur van de uitgangskarakteristiek van een transistorversterker wordt getekend?
  3. Welke waarde benadert het maximale vermogensrendement van een ideale klasse-B-push-pullversterker het best?
  4. Wat is het belangrijkste doel van een weerstand in serie met de basis in een schakeling waarin een transistor als schakelaar wordt gebruikt?
  5. Welke uitspraak over het verschil tussen de gelijkstroomversterking hFE en de kleinsignaalstroomversterking hfe is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp