Nederlands
Menu

Bipolaire transistor

Welke biasvoorwaarde is juist wanneer een NPN-transistor voor versterking wordt gebruikt (in het actieve gebied)?

  1. ABasis-emitter in doorlaatrichting, basis-collector in sperrichting
  2. BBasis-emitter in sperrichting, basis-collector in doorlaatrichting
  3. CZowel basis-emitter als basis-collector in doorlaatrichting
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Basis-emitter in doorlaatrichting, basis-collector in sperrichting

In het actieve gebied wordt de basis-emitterovergang in doorlaatrichting gebracht, zodat elektronen van de emitter in de basis worden geïnjecteerd, en de basis-collectorovergang in sperrichting, zodat de elektronen die door de basis zijn gegaan door een sterk veld naar de collector worden getrokken. De collectorstroom is vrijwel onafhankelijk van de collectorspanning en wordt bepaald door de basisstroom (of VBE), waardoor versterking mogelijk is. Zijn beide in doorlaatrichting, dan is de transistor in het verzadigingsgebied (schakelaar aan); zijn beide in sperrichting, dan is hij in het afsnijdgebied (uit).

Werking van een npn-transistor in het actieve gebied Emitter n⁺ Basis p Collector n B-E-overgang: doorlaatrichting B-C-overgang: sperrichting De meeste vanuit de emitter geïnjecteerde elektronen passeren de basis en bereiken de collector Hoe dunner de basis, hoe minder recombinatie en hoe groter de stroomversterking
Werking van een npn-transistor in het actieve gebied · Bekijken in het figurenoverzicht
Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Welke formule geeft de gelijkstroomversterking hFE van een bipolaire transistor? (IC: collectorstroom, IB: basisstroom, IE: emitterstroom)
  2. Wat is de meest passende reden om de basis van een bipolaire transistor dun te maken?
  3. Welk werkgebied van een bipolaire transistor komt overeen met de aan-toestand wanneer hij als schakelaar wordt gebruikt?
  4. Hoe is de fase van de uitgangsspanning van een gemeenschappelijke-emitterversterker ten opzichte van de ingangsspanning?
  5. Wat is de belangrijkste reden om bij een NPN-transistor de onzuiverheidsconcentratie van de emitter hoger te maken dan die van de basis?

Vergelijkingen bij dit onderwerp