Verhouding tussen de verandering van de drainstroom en de verandering van de gatespanning, geschreven als gm. Geeft het versterkend vermogen van de transistor weer; de versterking van een schakeling wordt bij benadering bepaald door gm maal de belastingsweerstand.
Japanse benaming: 相互コンダクタンス
“Transconductantie” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. MOSFET.
Vakgebied: MOSFET
Antwoord: A. De verhouding van de verandering van de drainstroom tot de verandering van de gatespanning
De transconductantie is gm = ∂ID/∂VGS en geeft aan hoeveel een verandering van de gatespanning de drainstroom verandert. In het verzadigingsgebied van een lang kanaal is gm = 2ID/(VGS − Vth) = √(2μCox(W/L)ID). De spanningsversterking van een versterker wordt bepaald door gm × belastingsweerstand, en de maximale versterking van een enkele transistor door gm × ro. De gm per stroom (gm/ID) is een efficiëntiemaat, en bij analoog ontwerp worden afmetingen steeds vaker met de gm/ID-methode bepaald.
De transconductantie is gm = ∂ID/∂VGS en geeft aan hoeveel een verandering van de gatespanning de drainstroom verandert.
Welke definitie van de transconductantie gm van een MOSFET …Verzadigingsgebied (saturation region) CMOS DIBL Doorschietstroom (shoot-through-stroom) Drempelspanning (threshold voltage) Flatbandspanning GIDL (gate-induced drain leakage) Inversielaag Kanaallengtemodulatie Korte-kanaaleffect