Nederlands
Menu

MOSFET

Waaraan is de drainstroom ID ongeveer evenredig wanneer een lang-kanaal MOSFET in het verzadigingsgebied werkt? (VGS: gate-sourcespanning, Vth: drempelspanning)

  1. AHet kwadraat van (VGS − Vth)
  2. BVGS − Vth
  3. CDe inverse van VGS
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Het kwadraat van (VGS − Vth)

In het verzadigingsgebied van een lang-kanaal MOSFET geldt ID = (1/2)μCox(W/L)(VGS − Vth)², dus de drainstroom is evenredig met het kwadraat van (VGS − Vth) (kwadratische wet). VGS − Vth heet de overdrive-spanning en is een basisparameter bij analoog ontwerp. Bij korte kanalen nadert de afhankelijkheid door snelheidsverzadiging de eerste macht, en vanwege mobiliteitsdegradatie en parasitaire weerstanden treden verdere afwijkingen op, zodat bij het feitelijke ontwerp nauwkeurige modellen zoals BSIM worden gebruikt.

Verband tussen drainstroom en drainspanning van een MOSFET Drain-sourcespanning VDS Drainstroom ID ,,1 ,,4 ,,9 VGS − Vth = 3 V = 2 V = 1 V Lineair gebied Verzadigingsgebied De verzadigingsstroom is evenredig met (VGS − Vth)²
Verband tussen drainstroom en drainspanning van een MOSFET · Bekijken in het figurenoverzicht
Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Bij gelijke afmetingen heeft een nMOS doorgaans een grotere aandrijfstroom dan een pMOS. Wat is de belangrijkste reden?
  2. Wat gebeurt er met de drempelspanning van een n-kanaal MOSFET wanneer het substraat (body) een negatieve spanning ten opzichte van de source krijgt (substraatvoorspanning)?
  3. Welke eigenschap van een depletion-type MOSFET is juist?
  4. Welke waarde ligt het dichtst bij de theoretische ondergrens van de subthreshold-coëfficiënt van een MOSFET (de gatespanning die nodig is om de drainstroom onder de drempel een decade te veranderen) bij kamertemperatuur?
  5. Welk gedrag van een MOSFET is juist in het lineaire gebied, waar de drain-sourcespanning VDS voldoende klein is?

Vergelijkingen bij dit onderwerp