Verschijnsel bij een MOSFET in verzadiging: een hogere drainspanning verschuift het pinch-offpunt naar de source, waardoor de effectieve kanaallengte korter wordt en de drainstroom iets toeneemt. Maakt de uitgangsweerstand eindig.
Japanse benaming: チャネル長変調
“Kanaallengtemodulatie” komt voor in 2 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. MOSFET.
Vakgebied: MOSFET
Antwoord: C. Kanaallengtemodulatie
In het verzadigingsgebied ontstaat aan de drainzijde een pinch-off-punt waar het kanaal verdwijnt. Als de drainspanning wordt verhoogd, verschuift het pinch-off-punt naar de source, wordt de effectieve kanaallengte korter en neemt de drainstroom iets toe. Dit is kanaallengtemodulatie, uitgedrukt als ID = (1/2)μCox(W/L)(VGS − Vth)²(1 + λVDS), en het bepaalt de uitgangsweerstand ro ≈ 1/(λID). Omdat het effect groter is naarmate het kanaal korter is, wordt in analoge schakelingen een langere L gebruikt.
Antwoord: A. ro ≈ 1 / (λ × ID)
Bij kanaallengtemodulatie neemt de drainstroom in het verzadigingsgebied de vorm ID(1 + λVDS) aan en neemt dus met VDS iets toe; het omgekeerde van deze helling is de uitgangsweerstand ro ≈ 1/(λID). Omdat λ ongeveer omgekeerd evenredig is met de kanaallengte, wordt ro ook ongeveer 2 keer zo groot als L wordt verdubbeld. De maximale spanningsversterking van een enkele transistor is gm·ro en bedraagt bij kleine transistors slechts 10 tot 20 keer, dus de versterking wordt verkregen met cascodes of meertrapsopbouw.
Dit is kanaallengtemodulatie, uitgedrukt als ID = (1/2)μCox(W/L)(VGS − Vth)²(1 + λVDS), en het bepaalt de uitgangsweerstand ro ≈ 1/(λID).
Hoe heet het verschijnsel waarbij in een MOSFET in het verz…Bij kanaallengtemodulatie neemt de drainstroom in het verzadigingsgebied de vorm ID(1 + λVDS) aan en neemt dus met VDS iets toe; het omgekeerde van deze helling is de uitgangsweerstand ro ≈ 1/(λID).
Welke formule geeft de kleinsignaaluitgangsweerstand ro van…Verzadigingsgebied (saturation region) CMOS DIBL Doorschietstroom (shoot-through-stroom) Drempelspanning (threshold voltage) Flatbandspanning GIDL (gate-induced drain leakage) Inversielaag Korte-kanaaleffect LDD-structuur