Nederlands
Menu

MOSFET

Welke formule geeft de kleinsignaaluitgangsweerstand ro van een MOSFET in het verzadigingsgebied, uitgedrukt in de kanaallengtemodulatiecoëfficiënt λ en de drainstroom ID?

  1. Aro ≈ 1 / (λ × ID)
  2. Bro ≈ ID / λ
  3. Cro ≈ λ × ID
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. ro ≈ 1 / (λ × ID)

Bij kanaallengtemodulatie neemt de drainstroom in het verzadigingsgebied de vorm ID(1 + λVDS) aan en neemt dus met VDS iets toe; het omgekeerde van deze helling is de uitgangsweerstand ro ≈ 1/(λID). Omdat λ ongeveer omgekeerd evenredig is met de kanaallengte, wordt ro ook ongeveer 2 keer zo groot als L wordt verdubbeld. De maximale spanningsversterking van een enkele transistor is gm·ro en bedraagt bij kleine transistors slechts 10 tot 20 keer, dus de versterking wordt verkregen met cascodes of meertrapsopbouw.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Welke voorwaarde voor 'sterke inversie' wordt in het algemeen gebruikt bij de definitie van de drempelspanning van een MOSFET? (φF: Fermi-potentiaal)
  2. Welke voorwaarde is juist om een n-kanaal MOSFET van het enhancement-type aan (geleidend) te laten staan? (VGS: gate-sourcespanning, Vth: drempelspanning)
  3. Wat gebeurt er met de gatecapaciteit per oppervlakte-eenheid als alleen de dikte van de gate-isolator wordt verkleind, terwijl materiaal en oppervlak gelijk blijven?
  4. Wat is de juiste reden dat het statische (stationaire) vermogensverbruik van een CMOS-inverter laag is?
  5. Waaraan is de drainstroom ID ongeveer evenredig wanneer een lang-kanaal MOSFET in het verzadigingsgebied werkt? (VGS: gate-sourcespanning, Vth: drempelspanning)

Vergelijkingen bij dit onderwerp