Nederlands
Menu

MOSFET

Welke definitie van de transconductantie gm van een MOSFET is juist?

  1. ADe verhouding van de verandering van de drainstroom tot de verandering van de gatespanning
  2. BDe drainspanning gedeeld door de drainstroom
  3. CDe capaciteit van de gate-isolator
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De verhouding van de verandering van de drainstroom tot de verandering van de gatespanning

De transconductantie is gm = ∂ID/∂VGS en geeft aan hoeveel een verandering van de gatespanning de drainstroom verandert. In het verzadigingsgebied van een lang kanaal is gm = 2ID/(VGS − Vth) = √(2μCox(W/L)ID). De spanningsversterking van een versterker wordt bepaald door gm × belastingsweerstand, en de maximale versterking van een enkele transistor door gm × ro. De gm per stroom (gm/ID) is een efficiëntiemaat, en bij analoog ontwerp worden afmetingen steeds vaker met de gm/ID-methode bepaald.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Welke toestand van het halfgeleideroppervlak is juist wanneer bij een MOS-structuur met p-type substraat een negatieve spanning op de gate wordt gezet?
  2. Welk ontwerp is juist om de logische drempelspanning van een CMOS-inverter op ongeveer de helft van de voedingsspanning te brengen?
  3. Welk voordeel van een transmissiegate waarin nMOS en pMOS parallel zijn geschakeld, is juist?
  4. Welke vorm van doorslag kan optreden wanneer tussen gate en source een spanning wordt gezet die de nominale waarde ver overschrijdt?
  5. Wat is de juiste hoofdreden dat de mobiliteit in het kanaal van een MOSFET lager is dan de mobiliteit binnenin het siliciumkristal?

Vergelijkingen bij dit onderwerp