MOSFET

Welk gedrag van een MOSFET is juist in het lineaire gebied, waar de drain-sourcespanning VDS voldoende klein is?

  1. AGedraagt zich als een variabele weerstand waarvan de waarde door de gatespanning verandert
  2. BGedraagt zich als een constante stroombron die onafhankelijk van VDS dezelfde stroom voert
  3. CGedraagt zich als een diode die stroom slechts in één richting voert
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Gedraagt zich als een variabele weerstand waarvan de waarde door de gatespanning verandert

In het lineaire gebied is de drainstroom ongeveer evenredig met VDS, en omdat de helling (geleiding) μCox(W/L)(VGS − Vth) met de gatespanning verandert, gedraagt de transistor zich als een door de gatespanning regelbare variabele weerstand. De aan-toestand van een schakelaar ligt in dit gebied, en de aan-weerstand wordt kleiner naarmate de gatespanning hoger is. Deze eigenschap wordt ook gebruikt in analoge schakelaars en schakelingen met variabele versterking. Wanneer VDS groter wordt dan VGS − Vth, ontstaat het verzadigingsgebied.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Wat is het doel van de LDD-structuur (Lightly Doped Drain) van een MOSFET?
  2. Hoe heet het verschijnsel waarbij in een MOSFET in het verzadigingsgebied de effectieve kanaallengte korter wordt als de drainspanning wordt verhoogd, waardoor de drainstroom iets toeneemt?
  3. Welke definitie van de transconductantie gm van een MOSFET is juist?
  4. Welke toestand van het halfgeleideroppervlak is juist wanneer bij een MOS-structuur met p-type substraat een negatieve spanning op de gate wordt gezet?
  5. Welk ontwerp is juist om de logische drempelspanning van een CMOS-inverter op ongeveer de helft van de voedingsspanning te brengen?

Vergelijkingen bij dit onderwerp