MOSFET

Hoe heet het verschijnsel waarbij in een MOSFET in het verzadigingsgebied de effectieve kanaallengte korter wordt als de drainspanning wordt verhoogd, waardoor de drainstroom iets toeneemt?

  1. ALatch-up
  2. BSubstraatvoorspanningseffect
  3. CKanaallengtemodulatie
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Kanaallengtemodulatie

In het verzadigingsgebied ontstaat aan de drainzijde een pinch-off-punt waar het kanaal verdwijnt. Als de drainspanning wordt verhoogd, verschuift het pinch-off-punt naar de source, wordt de effectieve kanaallengte korter en neemt de drainstroom iets toe. Dit is kanaallengtemodulatie, uitgedrukt als ID = (1/2)μCox(W/L)(VGS − Vth)²(1 + λVDS), en het bepaalt de uitgangsweerstand ro ≈ 1/(λID). Omdat het effect groter is naarmate het kanaal korter is, wordt in analoge schakelingen een langere L gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Welke definitie van de transconductantie gm van een MOSFET is juist?
  2. Welke toestand van het halfgeleideroppervlak is juist wanneer bij een MOS-structuur met p-type substraat een negatieve spanning op de gate wordt gezet?
  3. Welk ontwerp is juist om de logische drempelspanning van een CMOS-inverter op ongeveer de helft van de voedingsspanning te brengen?
  4. Welk voordeel van een transmissiegate waarin nMOS en pMOS parallel zijn geschakeld, is juist?
  5. Welke vorm van doorslag kan optreden wanneer tussen gate en source een spanning wordt gezet die de nominale waarde ver overschrijdt?

Vergelijkingen bij dit onderwerp