Verhouding tussen collectorstroom en basisstroom van een bipolaire transistor (IC/IB).
Japanse benaming: 電流増幅率(hFE)
“Stroomversterkingsfactor (hFE)” komt voor in 13 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Bipolaire transistor.
Vakgebied: Bipolaire transistor
Antwoord: B. IC / IB
hFE is de gelijkstroomversterking in gemeenschappelijke-emitterschakeling, hFE = IC/IB. Bij kleinsignaaltransistoren is dat gewoonlijk enkele tientallen tot honderden en bij vermogenstransistoren enkele tientallen. Ook bij hetzelfde typenummer is de spreiding groot (bijvoorbeeld ingedeeld in klassen zoals 100 tot 400) en hFE verandert met temperatuur en stroom; schakelingen worden daarom ontworpen om te werken zonder op de waarde van hFE te steunen. De stroomversterking α in gemeenschappelijke-basisschakeling is IC/IE, een waarde iets kleiner dan 1.
Antwoord: A. Hij neemt toe
De hFE van een siliciumtransistor neemt in het algemeen toe bij stijgende temperatuur, circa 0,5 tot 1% per ℃. Daarnaast daalt VBE met circa −2 mV/℃ en verdubbelt de lekstroom ICBO tussen collector en basis ongeveer per 10 ℃. Doordat deze drie effecten samenkomen, neemt de collectorstroom bij temperatuurstijging toe, zodat het werkpunt wordt gestabiliseerd, bijvoorbeeld met negatieve terugkoppeling via een emitterweerstand. Omgekeerd daalt hFE bij lage temperatuur en moet op onvoldoende aansturing worden gelet.
hFE is de gelijkstroomversterking in gemeenschappelijke-emitterschakeling, hFE = IC/IB.
Welke formule geeft de gelijkstroomversterking hFE van een …De hFE van een siliciumtransistor neemt in het algemeen toe bij stijgende temperatuur, circa 0,5 tot 1% per ℃.
Hoe verandert de stroomversterking hFE van een bipolaire si…In het actieve gebied is IC = hFE × IB, dus 100 × 10 µA = 1.000 µA = 1 mA.
Hoeveel bedraagt de collectorstroom in het actieve gebied o…hFE is de verhouding IC/IB van collectorstroom en basisstroom bij gelijkstroom en hfe de verhouding ΔIC/ΔIB van kleine veranderingen rond het werkpunt.
Welke uitspraak over het verschil tussen de gelijkstroomver…Bij kleine stromen neemt de recombinatiestroom in het uitputtingsgebied (evenredig met exp(qV/2kT)) een groter aandeel in de basisstroom in, waardoor hFE daalt.
Welke uitspraak over de afhankelijkheid van de stroomverste…Verzadigingsgebied (saturation region) Negatieve terugkoppeling Emittervolger (emitter follower) Via Early-effect Actief gebied Afsnijgebied (cut-off) Common-emitterschakeling Darlingtonschakeling HBT (heterojunctie-bipolaire transistor)