Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Welk geheugen verandert de weerstand doordat metaalionen zoals zilver of koper zich door een vaste elektrolyt verplaatsen en een geleidend pad vormen of verbreken?

  1. ACBRAM (conductive-bridge-geheugen)
  2. BFeRAM
  3. CSTT-MRAM
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. CBRAM (conductive-bridge-geheugen)

Bij CBRAM lossen metaalionen uit een actieve metalen elektrode, zoals zilver of koper, op in een vaste-elektrolytlaag en verplaatsen zich onder invloed van een spanning naar de tegenoverliggende elektrode, waar zij een geleidende metaalbrug vormen. Met de omgekeerde spanning lossen zij weer op en wordt de brug verbroken, zodat tussen lage en hoge weerstand wordt geschakeld. Kenmerken zijn een lage bedrijfsspanning en weinig schrijfenergie. CBRAM geldt als een soort ReRAM naast het oxidetype met zuurstofvacatures en is op de markt gebracht als zuinig embedded geheugen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welke uitspraak over het verschil tussen het 'bipolaire' en het 'unipolaire' type in de werking van ReRAM is juist?
  2. Welk element van chalcogenidemateriaal, dat plotseling gaat geleiden boven een bepaalde spanning, wordt gebruikt als selector in serie met het geheugenelement in onder meer crosspoint-PCM?
  3. Waarom moet de grootte van de leesstroom in STT-MRAM worden beperkt?
  4. Welk element maakt gebruik van het feit dat de tunnelstroom door een dunne ferro-elektrische laag verandert met de polarisatierichting van het ferro-elektricum?
  5. Welk effect, waarbij de magnetische anisotropie van een magnetische laag met een spanning wordt veranderd, wordt onderzocht als methode om de schrijfenergie van MRAM te verlagen?

Vergelijkingen bij dit onderwerp