Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Welk voorbeeld van een materiaal dat als weerstandsveranderende laag voor ReRAM wordt onderzocht en toegepast, is juist?

  1. AElementair koper
  2. BMetaaloxiden zoals hafniumoxide en tantaaloxide
  3. CMonokristallijn silicium
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Metaaloxiden zoals hafniumoxide en tantaaloxide

Voor ReRAM worden vaak metaaloxiden gebruikt, zoals hafniumoxide, tantaaloxide en titaanoxide. Onder invloed van een spanning verplaatsen zuurstofionen zich, waardoor een geleidend pad van samengekomen zuurstofvacatures ontstaat of verdwijnt en de weerstand verandert. Hafniumoxide en tantaaloxide worden al gebruikt als gate-isolator en voor capaciteiten in CMOS, zodat fabricageapparatuur en -processen gemakkelijk kunnen worden hergebruikt, wat ook een voordeel is.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welk mechanisme voor energiebesparing van het systeem wordt verwacht van niet-vluchtig geheugen in caches en registers?
  2. Welke uitspraak over een kenmerkende toepassing waarvoor FeRAM wordt gebruikt, is juist?
  3. In welke stap van het logica-LSI-proces wordt het geheugenelement (MTJ) van MRAM gewoonlijk gemaakt?
  4. Hoe heet bij het verkleinen van faseveranderingsgeheugen het probleem dat de warmte bij het schrijven naar een naburige cel overgaat en de toestand daarvan verandert?
  5. Welke uitspraak over het ontwerpprobleem dat voortvloeit uit het stochastische karakter van het schrijven in STT-MRAM is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp