Mémoire non volatile qui crée ou rompt par une tension un chemin conducteur dans un oxyde, et stocke l'information par la différence de résistance.
Nom japonais: ReRAM(抵抗変化メモリ)
« ReRAM (mémoire résistive) » apparaît dans 9 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont Mémoires émergentes, SRAM et mémoire flash.
Domaine: Mémoires émergentes
Réponse : B. L'application d'une tension à un oxyde métallique ou matériau analogue pour basculer entre un état de forte résistance et un état de faible résistance
La ReRAM a une structure simple, constituée d'une couche mince d'oxyde métallique ou analogue prise entre deux électrodes ; sous tension, un filament conducteur formé par l'agrégation de lacunes d'oxygène apparaît ou se rompt, et la résistance varie d'un facteur 10 ou plus. Les éléments étant petits et fabricables dans les étapes d'interconnexion, elle se prête à l'intégration avec la logique et à la haute densité par structure crosspoint. Elle est commercialisée comme mémoire embarquée de microcontrôleurs ; la forte dispersion de la résistance reste un problème.
Réponse : B. Forming
La plupart des ReRAM sont de forte résistance juste après fabrication et nécessitent l'application initiale d'une tension supérieure à celle du fonctionnement normal pour créer un chemin conducteur de lacunes d'oxygène ou analogue : c'est le forming. Ensuite, seule la partie fine à l'extrémité du filament est rompue ou reconnectée, ce qui permet de basculer entre forte et faible résistance à plus basse tension. Une tension de forming élevée pesant sur les circuits périphériques, des matériaux et structures qui la rendent inutile sont également étudiés.
La ReRAM a une structure simple, constituée d'une couche mince d'oxyde métallique ou analogue prise entre deux électrodes ; sous tension, un filament conducteur formé par l'agrégation de lacunes d'oxygène apparaît ou se rompt, et la résistance varie d'un facteur 10 ou plus.
Quel est le principe de mémorisation de la ReRAM (mémoire r…La plupart des ReRAM sont de forte résistance juste après fabrication et nécessitent l'application initiale d'une tension supérieure à celle du fonctionnement normal pour créer un chemin conducteur de lacunes d'oxygène ou analogue : c'est le forming.
Comment appelle-t-on, dans une ReRAM, l'étape d'initialisat…La ReRAM utilise couramment des oxydes métalliques comme l'oxyde d'hafnium, l'oxyde de tantale ou l'oxyde de titane.
Quel est un exemple de matériau étudié ou utilisé comme cou…Dans une ReRAM, l'épaisseur et la position du filament conducteur étant déterminées de façon probabiliste, la résistance varie d'une cellule à l'autre (variabilité inter-dispositifs) comme d'une écriture à l'autre dans une même cellule (variabilité inter-cycles).
Quel problème découle de la forte dispersion de la résistan…La ReRAM bipolaire applique des tensions de polarités opposées pour le set (passage en faible résistance) et le reset (passage en forte résistance), le champ électrique faisant aller et venir les ions oxygène ou analogues pour connecter ou rompre le filament.
Quelle est la différence entre les modes de fonctionnement …MRAM FeRAM (mémoire ferroélectrique) Formage (forming) CMOS Rugosité de bord de ligne (LER) Mémoire non volatile Grille flottante PCM (mémoire à changement de phase) Bascule (flip-flop) 3D XPoint