Welke uitspraak over het probleem dat voortvloeit uit de grote spreiding van de weerstandswaarden van ReRAM-cellen is juist?

Antwoord: A. De marge om hoge en lage weerstand te onderscheiden wordt kleiner, waardoor multilevelopslag en grotere capaciteit moeilijk worden

Bij ReRAM worden de dikte en positie van het geleidende filament stochastisch bepaald, zodat de weerstand varieert van cel tot cel (device-to-device) en bij elke schrijfactie van dezelfde cel (cycle-to-cycle). Wanneer de verdelingen van hoge en lage weerstand dichter bij elkaar komen, wordt de leesmarge kleiner en worden multilevelopslag en grote arrays moeilijk te realiseren. Men pakt dit aan met methoden die na het schrijven verifiëren en de condities aanpassen, en door de weerstand gelijk te maken via beperking van de bovengrens van de stroom.