Opkomende geheugentechnologieën

Welke uitspraak over het verschil tussen het 'bipolaire' en het 'unipolaire' type in de werking van ReRAM is juist?

  1. AHet bipolaire type gebruikt bipolaire transistoren en het unipolaire type MOSFET's
  2. BHet bipolaire type slaat 2 bits op en het unipolaire type 1 bit
  3. CHet bipolaire type zet en reset met een spanning van omgekeerde polariteit, het unipolaire type schakelt met dezelfde polariteit door de grootte van spanning of stroom te veranderen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Het bipolaire type zet en reset met een spanning van omgekeerde polariteit, het unipolaire type schakelt met dezelfde polariteit door de grootte van spanning of stroom te veranderen

Bij bipolair ReRAM worden voor set (naar lage weerstand) en reset (naar hoge weerstand) spanningen van tegengestelde polariteit aangelegd, en wordt het filament verbonden of verbroken doordat zuurstofionen e.d. door het elektrische veld heen en weer bewegen. Bij unipolair ReRAM blijft de polariteit gelijk en veranderen de grootte en duur van spanning of stroom, waarbij het filament vooral door Joule-warmte wordt verbroken. Het bipolaire type is goed te besturen en stabiel en vormt de hoofdstroom; welk type optreedt, hangt af van de combinatie van materialen en elektroden.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welk element van chalcogenidemateriaal, dat plotseling gaat geleiden boven een bepaalde spanning, wordt gebruikt als selector in serie met het geheugenelement in onder meer crosspoint-PCM?
  2. Waarom moet de grootte van de leesstroom in STT-MRAM worden beperkt?
  3. Welk element maakt gebruik van het feit dat de tunnelstroom door een dunne ferro-elektrische laag verandert met de polarisatierichting van het ferro-elektricum?
  4. Welk effect, waarbij de magnetische anisotropie van een magnetische laag met een spanning wordt veranderd, wordt onderzocht als methode om de schrijfenergie van MRAM te verlagen?
  5. Welke uitspraak over het opslagprincipe van MRAM is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp