Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Welk geheugen heeft in het algemeen het kleinste aantal herschrijfcycli?

  1. ADRAM
  2. BSRAM
  3. CNAND-flashgeheugen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. NAND-flashgeheugen

DRAM en SRAM degraderen nauwelijks door herschrijven en hebben in de praktijk een onbeperkt aantal cycli. NAND-flash degradeert telkens wanneer elektronen onder invloed van een hoog elektrisch veld door het tunneloxide gaan, en is beperkt tot enkele duizenden tot enkele tienduizenden cycli (minder naarmate er meer niveaus per cel zijn). Nieuwe geheugens zitten daartussenin: voor PCM en ReRAM geldt circa 10⁶ tot 10⁹ cycli, voor FeRAM 10¹² of meer en voor MRAM 10¹⁰ of meer (vrijwel onbeperkt). Dit is een belangrijke maatstaf bij de keuze voor een toepassing.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welke van de volgende geheugens is een niet-vluchtig geheugen waarvan de gegevens ook na het uitschakelen van de voeding behouden blijven?
  2. Waar staat de 'M' in MRAM voor?
  3. Welke uitspraak over het idee van het 'universele geheugen', waarop veel onderzoek en ontwikkeling van geheugens van de volgende generatie is gericht, is juist?
  4. Waar staat de 'Fe' in FeRAM voor?
  5. Hoe heet de structuur, waarbij twee magnetische lagen een dunne isolerende laag insluiten, die in MRAM als element voor het opslaan van 1 bit wordt gebruikt?

Vergelijkingen bij dit onderwerp