ReRAM(抵抗変化メモリ)란?
りらむ
電圧をかけて酸化物などの中に導電パスをつくったり切ったりし、抵抗の違いで情報を記憶する不揮発性メモリ。
일본어 명칭: ReRAM(抵抗変化メモリ)
분야: 차세대 메모리
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3D XPoint 磁気トンネル接合(MTJ) FeFET(強誘電体トランジスタ) FeRAM(強誘電体メモリ) MRAM PCM(相変化メモリ) SOT-MRAM STT-MRAM TMR比 インメモリコンピューティング
りらむ
電圧をかけて酸化物などの中に導電パスをつくったり切ったりし、抵抗の違いで情報を記憶する不揮発性メモリ。
일본어 명칭: ReRAM(抵抗変化メモリ)
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