Opkomende geheugentechnologieën

Hoe heet bij ReRAM de initialisatiestap waarbij eerst een relatief hoge spanning wordt aangelegd om een geleidend filament te vormen?

  1. ADoping
  2. BForming
  3. CAnnealing
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Forming

De meeste ReRAM-elementen hebben direct na fabricage een hoge weerstand en er moet eerst een spanning hoger dan bij normaal bedrijf worden aangelegd om een geleidend pad, zoals van zuurstofvacatures, te vormen. Dit heet forming. Daarna worden alleen het dunne uiteinde van het gevormde filament verbroken en weer verbonden, zodat tussen hoge en lage weerstand kan worden geschakeld met een lagere spanning. Een hoge formingspanning belast de randcircuits, daarom worden ook materialen en structuren onderzocht waarbij forming overbodig is.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welke uitspraak over de kenmerken van SOT-MRAM is juist?
  2. Welke reden waarom MRAM aandacht krijgt als embedded niet-vluchtig geheugen voor onder meer microcontrollers is juist?
  3. Welk probleem treedt bij MRAM vaak op wanneer het geheugenelement (MTJ) te klein wordt?
  4. Waarom zijn MTJ's met een loodrecht op het filmvlak gerichte magnetisatie (perpendiculaire MTJ) in recente STT-MRAM de hoofdstroom geworden?
  5. Welk element wordt in serie met het geheugenelement geplaatst om te voorkomen dat stroom naar niet-geselecteerde cellen lekt in crosspoint-geheugen, waarbij resistieve elementen op de kruispunten van horizontale en verticale bedrading zijn geplaatst?

Vergelijkingen bij dit onderwerp