Concept waarbij berekeningen zoals multiply-accumulate binnen de geheugenarray worden uitgevoerd, om dataverplaatsing tussen geheugen en processor te verminderen. Er wordt onderzoek gedaan naar het gebruik van weerstandsveranderende elementen voor AI-inferentie.
Japanse benaming: インメモリコンピューティング
“In-memory computing” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Opkomende geheugentechnologieën.
Vakgebied: Opkomende geheugentechnologieën
Antwoord: C. Het uitvoeren van multiply-accumulate-bewerkingen binnen de geheugenarray, waardoor gegevensverplaatsing en vermogensverbruik bij AI-verwerking afnemen
AI-verwerking vereist enorme aantallen multiply-accumulate-bewerkingen, en het grootste deel van het vermogen gaat naar gegevensverplaatsing tussen geheugen en rekeneenheid. Bij in-memory computing worden resistieve elementen in een array geplaatst en de gewichten als geleiding opgeslagen. Wanneer de invoer als spanning wordt aangelegd, worden vermenigvuldiging volgens de wet van Ohm (I = GV) en optelling volgens de eerste wet van Kirchhoff in één keer op de bedrading uitgevoerd. Omdat de bewerking analoog is, vormen de spreiding van de elementen en de nauwkeurigheid van de ADC echter uitdagingen.
Bij in-memory computing worden resistieve elementen in een array geplaatst en de gewichten als geleiding opgeslagen.
Wat is de belangrijkste verwachte toepassing van in-memory …ReRAM (resistief geheugen) 3D XPoint Chalcogeniden Crosspoint-geheugen FeFET (ferro-elektrische transistor) FeRAM (ferro-elektrisch geheugen) Forming Magnetische tunnelovergang (MTJ) MRAM PCM (phase-change memory)