Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Welke uitspraak over het opslagprincipe van ReRAM (resistief geheugen) is juist?

  1. AHet verschil in magnetisatierichting van een magnetische laag
  2. BDoor een spanning op een metaaloxide o.d. te zetten wordt geschakeld tussen een toestand met hoge en een met lage weerstand
  3. CDe aan- of afwezigheid van lading op een condensator
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Door een spanning op een metaaloxide o.d. te zetten wordt geschakeld tussen een toestand met hoge en een met lage weerstand

ReRAM heeft een eenvoudige structuur waarbij een dunne laag, zoals een metaaloxide, tussen elektroden zit. Bij het aanleggen van een spanning wordt een geleidend filament van samengekomen zuurstofvacatures gevormd of verbroken, waardoor de weerstand met een factor 10 of meer verandert. Het element is klein en kan in het back-end-of-line-proces worden gemaakt, waardoor het geschikt is voor embedded gebruik in logica en voor hoge dichtheid met een crosspoint-structuur. ReRAM is in gebruik als embedded geheugen voor microcontrollers; een uitdaging is de grote spreiding in weerstand.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welke uitspraak over de schrijfmethode van STT-MRAM is juist?
  2. Welke uitspraak over de positie van 'storage class memory' is juist?
  3. Welke uitspraak over een algemeen voordeel van MRAM ten opzichte van flashgeheugen is juist?
  4. Welk ferro-elektrisch materiaal dat goed met het CMOS-proces samengaat, krijgt de laatste jaren aandacht als materiaal voor FeRAM en ferro-elektrische transistoren (FeFET)?
  5. Welke methode om een cel van faseveranderingsgeheugen (PCM) in de amorfe toestand met hoge weerstand te brengen (reset) is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp