Was ist ReRAM (resistiver Speicher)?

Nichtflüchtiger Speicher, bei dem durch Anlegen von Spannung leitende Pfade in einem Oxid oder Ähnlichem gebildet und aufgelöst werden und Information als Widerstandsunterschied gespeichert wird.

Japanische Bezeichnung: ReRAM(抵抗変化メモリ)

Fachgebiet: Neuartige Speicher

Vergleiche mit diesem Begriff

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