Structure de transistor GAA où plusieurs canaux de silicium en forme de fines feuilles sont empilés verticalement, chacun entouré par la grille. La largeur des feuillets permet d'ajuster le courant.
Nom japonais: ナノシート
« Nanofeuillet (nanosheet) » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Transistors avancés (FinFET et GAA).
Domaine: Transistors avancés (FinFET et GAA)
Réponse : B. Un canal de silicium en plaque mince de quelques nm d'épaisseur, utilisé en empilement vertical
Le nanofeuillet est un canal de silicium en plaque mince d'environ 5 nm d'épaisseur et d'une quinzaine à quelques dizaines de nm de large ; environ trois feuillets sont empilés verticalement, chacun entièrement entouré par la grille. La structure ressemble à des ailettes de FinFET couchées et empilées, et la largeur des feuillets permet d'ajuster le courant. L'espacement entre feuillets étant d'environ 10 nm, des techniques de dépôt avancées sont nécessaires pour y loger le diélectrique et le métal de grille.
Le nanofeuillet est un canal de silicium en plaque mince d'environ 5 nm d'épaisseur et d'une quinzaine à quelques dizaines de nm de large ; environ trois feuillets sont empilés verticalement, chacun entièrement entouré par la grille.
Que désigne le « nanofeuillet » d'un transistor GAA à nanof…GAA (grille enrobante, gate-all-around) FinFET CFET (FET complémentaire) DTCO (co-optimisation conception-technologie) EOT (épaisseur d'oxyde équivalente) FD-SOI (SOI totalement déplété) Fluctuation aléatoire des dopants (RDF) Gate-last (grille métallique de remplacement) High-k/grille métallique SADP (double patterning auto-aligné)