Wat is EOT (equivalente oxidedikte)?

Waarde die een gate-isolator zoals een high-k-laag omrekent naar de dikte van een SiO2-laag met dezelfde gatecapaciteit. Ook bij fysiek dikke lagen kan de EOT dun zijn, zodat de gatecapaciteit behouden blijft terwijl de tunnelstroom wordt onderdrukt.

Japanse benaming: EOT(等価酸化膜厚)

“EOT (equivalente oxidedikte)” komt voor in 7 oefenvragen uit 4 onderwerpen, bijv. Oxidatie en diffusie, Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA), Halfgeleiderfysica.

Vakgebied: Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Nu oefenen: vragen over EOT (equivalente oxidedikte)

Welke uitspraak over EOT (equivalente oxidedikte) is juist?

ADe waarde die ontstaat door een gate-isolator zoals een high-k-film om te rekenen naar de dikte van een SiO2-film met dezelfde gatecapaciteit
BDe werkelijke fysieke laagdikte van de gate-isolator
CDe dikte van de bedradingslagen

Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De waarde die ontstaat door een gate-isolator zoals een high-k-film om te rekenen naar de dikte van een SiO2-film met dezelfde gatecapaciteit

EOT is de waarde waarbij de capaciteit van de gate-isolator wordt omgerekend naar de dikte van de film als die met SiO2 (relatieve diëlektrische constante 3,9) zou zijn gerealiseerd: EOT = fysieke laagdikte × 3,9/ε. Een high-k-film met relatieve diëlektrische constante 20 heeft bij een fysieke laagdikte van circa 5 nm een EOT van 1 nm. De EOT van geavanceerde producten is inclusief de grenslaag circa 0,8 tot 1 nm. Omdat bij de werkelijke elektrische dikte ook kwantumeffecten van de inversielaag e.d. meetellen, is de gemeten waarde (CET) iets groter dan de EOT.

“EOT (equivalente oxidedikte)” in de toelichting

EOT is de waarde waarbij de capaciteit van de gate-isolator wordt omgerekend naar de dikte van de film als die met SiO2 (relatieve diëlektrische constante 3,9) zou zijn gerealiseerd: EOT = fysieke laagdikte × 3,9/ε.
Welke uitspraak over EOT (equivalente oxidedikte) is juist?
3,9, en de prestaties van gate-isolatoren worden vergeleken met de equivalente oxidedikte (EOT) met deze waarde als referentie.
Welke waarde ligt het dichtst bij de relatieve permittivite…
Samen met polysilicium-uitputting is dit een oorzaak van de 'elektrische diktes (CET)' die groter is dan de fysieke dikte, en het aandeel neemt toe naarmate de EOT dunner wordt.
Welk effect is juist bij een MOSFET met een zeer dunne gate…
Omdat de grenslaag een lage relatieve diëlektrische constante heeft en het grootste deel van de EOT uitmaakt, is het zo dun mogelijk maken van de grenslaag de sleutel tot verlaging van de EOT.
Waarom wordt bij high-k/metal-gate-transistoren vaak een ze…
Het inbrengen van stikstof onderdrukt de boordiffusie en verhoogt de relatieve permittiviteit van 3,9 tot ongeveer 5 à 6, zodat bij dezelfde EOT fysiek dikker kan worden gemaakt en het lek afneemt.
Wat is het belangrijkste doel van het inbrengen van stiksto…

Vragen met “EOT (equivalente oxidedikte)” (7)

Verwante termen

Oxynitride (SiON) Inversielaag Mobiliteit Uitputtingslaag (depletion layer) Junctiecapaciteit (depletiecapaciteit) Drempelspanning (threshold voltage) Thermische oxidatie Plasma CFET (complementaire FET) DTCO (design-technology co-optimization)

Naar de woordenlijst