Welk effect is juist bij een MOSFET met een zeer dunne gate-isolator wanneer de piek van de elektronenverdeling in de inversielaag iets van het grensvlak af ligt?

Antwoord: B. De gate-isolator lijkt effectief dikker en de gatecapaciteit (aandrijfvermogen) neemt af

De elektronen in de inversielaag worden door het sterke veld aan het grensvlak in een smalle put opgesloten, en door een kwantummechanisch effect ligt de piek van de verdeling niet direct aan het grensvlak maar ongeveer 1 nm naar binnen. Omdat het zwaartepunt van de lading van het grensvlak af ligt, heeft dit hetzelfde effect als een isolator die in SiO2-equivalent ongeveer 0,3 tot 0,4 nm dikker is, zodat gatecapaciteit en aandrijfstroom afnemen. Samen met polysilicium-uitputting is dit een oorzaak van de 'elektrische diktes (CET)' die groter is dan de fysieke dikte, en het aandeel neemt toe naarmate de EOT dunner wordt.