Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Welke uitspraak over EOT (equivalente oxidedikte) is juist?

  1. ADe waarde die ontstaat door een gate-isolator zoals een high-k-film om te rekenen naar de dikte van een SiO2-film met dezelfde gatecapaciteit
  2. BDe werkelijke fysieke laagdikte van de gate-isolator
  3. CDe dikte van de bedradingslagen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De waarde die ontstaat door een gate-isolator zoals een high-k-film om te rekenen naar de dikte van een SiO2-film met dezelfde gatecapaciteit

EOT is de waarde waarbij de capaciteit van de gate-isolator wordt omgerekend naar de dikte van de film als die met SiO2 (relatieve diëlektrische constante 3,9) zou zijn gerealiseerd: EOT = fysieke laagdikte × 3,9/ε. Een high-k-film met relatieve diëlektrische constante 20 heeft bij een fysieke laagdikte van circa 5 nm een EOT van 1 nm. De EOT van geavanceerde producten is inclusief de grenslaag circa 0,8 tot 1 nm. Omdat bij de werkelijke elektrische dikte ook kwantumeffecten van de inversielaag e.d. meetellen, is de gemeten waarde (CET) iets groter dan de EOT.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Welke uitspraak over de SOI-structuur (Silicon On Insulator) is juist?
  2. Welke uitspraak over DIBL (Drain Induced Barrier Lowering) is juist?
  3. Welke uitspraak over de manier om de effectieve kanaalbreedte van een FinFET in te stellen is juist?
  4. Welke uitspraak over de kenmerken van de CFET (Complementary FET), die als structuur na GAA wordt onderzocht, is juist?
  5. Wat is een van de belangrijkste middelen om bij high-k/metal-gate-transistoren de drempelspanning in te stellen?

Vergelijkingen bij dit onderwerp