Was ist EOT (äquivalente Oxiddicke)?

Die Dicke von SiO2, die dieselbe Gatekapazität wie ein Gateisolator, etwa ein High-k-Film, ergäbe. Ein physisch dicker Film kann eine kleine EOT haben, also hohe Kapazität bei begrenztem Tunnelstrom.

Japanische Bezeichnung: EOT(等価酸化膜厚)

Fachgebiet: Fortschrittliche Transistoren (FinFET und GAA)

Verwandte Begriffe

CFET (komplementärer FET) DTCO (Entwurf-Technologie-Co-Optimierung) FD-SOI (vollständig verarmtes SOI) FinFET GAA (Gate-all-around) Gate-last (Replacement-Metal-Gate) High-k/Metall-Gate Nanosheet-Transistor SADP (selbstjustierte Doppelstrukturierung) Zufällige Dotierstoffschwankung (RDF)

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