Nederlands
Menu

Halfgeleiderfysica

Welke waarde ligt het dichtst bij de relatieve permittiviteit van silicium?

  1. Aca. 11,7
  2. Bca. 80
  3. Cca. 3,9
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. ca. 11,7

De relatieve permittiviteit van silicium is ca. 11,7 en wordt gebruikt bij berekeningen van de breedte van de uitputtingslaag (W = √(2εV/qN)) en de junctiecapaciteit. Die van SiO2 is ca. 3,9, en de prestaties van gate-isolatoren worden vergeleken met de equivalente oxidedikte (EOT) met deze waarde als referentie. Met High-k-materialen zoals HfO2 (ca. 20 tot 25) kan de laag fysiek dikker worden gemaakt om de tunnelstroom te onderdrukken en toch dezelfde capaciteit als dun SiO2 worden verkregen. Tussen bedrading worden daarentegen Low-k-materialen met een lage permittiviteit gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Halfgeleiderfysica

  1. Welke waarde ligt het dichtst bij de elektronenmobiliteit van zuiver silicium bij kamertemperatuur?
  2. Wat is de juiste reden dat bij een halfgeleider met indirecte overgang zoals silicium de kans klein is dat elektron en gat recombineren onder uitzending van licht?
  3. Hoe heet het niveau dat wordt ingevoerd om de elektronendichtheid en de gatendichtheid elk afzonderlijk weer te geven in een halfgeleider die door belichting of stroominjectie uit thermisch evenwicht is?
  4. Welke waarde ligt het dichtst bij de roosterconstante van een siliciumkristal?
  5. Wat is de juiste reden dat het intrinsieke Fermi-niveau van silicium licht afwijkt van het exacte midden van de bandkloof?