DRAM
DRAM의 1T1C 셀, 리프레시가 필요한 이유, 읽기 동작 방식을 객관식 문제로 학습합니다.
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DRAM: 핵심 정리
DRAM은 트랜지스터 1개와 커패시터 1개로 1비트를 저장합니다. 셀 구조가 단순해 고집적화가 쉬워 컴퓨터의 주기억장치로 널리 사용됩니다.
커패시터의 전하는 누설 전류로 서서히 사라지므로 데이터를 주기적으로 다시 써 주어야 합니다(리프레시). 읽기 동작도 셀의 전하를 교란하므로, 센스 앰프로 데이터를 증폭한 뒤 다시 기록합니다.
이 분야의 비교
- DRAM과 SRAM의 차이점 한눈에 정리DRAM과 SRAM을 한 장의 표로 비교합니다. 셀 구조, 리프레시, 속도, 집적도, 비용, 전력, 대표 용도와 각각을 언제 쓰는지 안내합니다.
- DDR, LPDDR, GDDR, HBM: DRAM 종류 비교DDR, LPDDR, GDDR, HBM을 표로 비교합니다. 대상 기기, 버스 폭, 속도, 대역폭, 전력, 패키징, 용량, 비용을 다룹니다.
- DDR4 vs DDR5: 차이점과 업그레이드할 가치DDR4와 DDR5를 표로 비교합니다: 속도, 전압, 채널 구조, 버스트 길이, 뱅크, 온다이 ECC, 전력 관리, 지연 시간, 대역폭, 호환성.