DRAM

Wat is de belangrijkste reden dat voor het aansturen van de DRAM-wordlijn een verhoogde spanning (VPP) wordt gebruikt die hoger is dan de voedingsspanning?

  1. AOm refresh overbodig te maken
  2. BOm te voorkomen dat de spanning met de drempelspanning van de celtransistor daalt, zodat met voldoende spanning naar de condensator kan worden geschreven
  3. COm de spanning van de bitlijn te verlagen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Om te voorkomen dat de spanning met de drempelspanning van de celtransistor daalt, zodat met voldoende spanning naar de condensator kan worden geschreven

De celtransistor is een nMOS; blijft de gate op de voedingsspanning, dan kan naar de condensator slechts een spanning worden geschreven die een drempelspanning Vth lager is. Door de wordlijn aan te sturen met VPP, dat minstens Vth hoger is dan de voedingsspanning (bijvoorbeeld circa 2,5 tot 3 V), wordt de volledige "1"-spanning naar de condensator geschreven en blijft er marge bij het lezen. VPP wordt in de chip met een ladingspomp opgewekt en de gate-isolator wordt zo dik ontworpen dat hij deze spanning kan weerstaan.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over DRAM

  1. Welke opbouw is juist voor een geheugencel van 1 bit van een gewoon DRAM?
  2. Waarom is bij DRAM periodiek verversen (refresh) nodig?
  3. Welke uitspraak over de leesbewerking van DRAM is juist?
  4. Welke combinatie van driedimensionale structuren wordt gebruikt om bij DRAM-cellen voldoende condensatorcapaciteit te behouden?
  5. Welke eigenschap van DRAM is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp