Nederlands
Menu

DRAM

Welke uitspraak over de gedachte achter 3D DRAM, dat als middel voor grotere capaciteit van toekomstig DRAM wordt ontwikkeld, is juist?

  1. AGeheugencellen worden verticaal gestapeld, zodat de capaciteit toeneemt zonder alleen op verkleining in het vlak te vertrouwen
  2. BDe capaciteit wordt alleen vergroot door de chip groter te maken
  3. CDRAM wordt vervangen door SRAM
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Geheugencellen worden verticaal gestapeld, zodat de capaciteit toeneemt zonder alleen op verkleining in het vlak te vertrouwen

Bij DRAM naderen de grenzen van een hogere aspectverhouding van de condensator en verkleining van de celtransistor. Daarom wordt onderzoek en ontwikkeling gedaan aan 3D DRAM, waarbij cellen net als bij 3D NAND verticaal worden gestapeld; overwogen worden onder meer structuren waarin transistor en condensator horizontaal liggen en in vele lagen worden gestapeld, en cellen zonder condensator. Als het slaagt, kan de capaciteit toenemen zonder te vertrouwen op verkleining in het vlak, maar productietechnologie bevindt zich nog in de ontwikkelingsfase.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over DRAM

  1. Hoe heet het verschijnsel dat bij DRAM, als een rij in korte tijd vele malen wordt geactiveerd, de gegevens in naburige rijen kunnen omslaan?
  2. Welke lekpaden bepalen vooral de gegevensbewaartijd van DRAM-cellen?
  3. Wat betekent F in "6F²", dat wordt gebruikt om het celoppervlak van DRAM uit te drukken?
  4. Hoe heet de bewerking bij DRAM-toegang waarbij de geopende rij wordt gesloten en de bitlijn wordt teruggebracht naar de middenpotentiaal ter voorbereiding op het activeren van de volgende rij?
  5. Welke functie, ingevoerd bij DDR5, corrigeert fouten in het DRAM-chip zelf?

Vergelijkingen bij dit onderwerp