Nederlands
Menu

DRAM

Welke lekpaden bepalen vooral de gegevensbewaartijd van DRAM-cellen?

  1. ASubthreshold-lekstroom en junctielekstroom van de celtransistor
  2. BLadingsgeneratie door licht
  3. CVerplaatsing van lading door een magnetisch veld
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Subthreshold-lekstroom en junctielekstroom van de celtransistor

De lading van de condensator gaat vooral verloren via de subthreshold-lekstroom van de uitgeschakelde celtransistor en de lekstroom door de junctie van het opslagknooppunt (inclusief GIDL en generatiestroom via defecten). De bewaartijd verschilt van cel tot cel en een klein aantal zwakke cellen (de staart van de verdeling) bepaalt de refreshperiode. Daarom is het belangrijk de lekstroom van de zwakste cellen te beperken, bijvoorbeeld door het elektrische veld met een begraven gate te verzwakken en door defecten te verminderen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over DRAM

  1. Wat betekent F in "6F²", dat wordt gebruikt om het celoppervlak van DRAM uit te drukken?
  2. Hoe heet de bewerking bij DRAM-toegang waarbij de geopende rij wordt gesloten en de bitlijn wordt teruggebracht naar de middenpotentiaal ter voorbereiding op het activeren van de volgende rij?
  3. Welke functie, ingevoerd bij DDR5, corrigeert fouten in het DRAM-chip zelf?
  4. Hoe heet de prestatiebeperking die ontstaat doordat verbetering van de geheugenbandbreedte en -latentie de prestatiewinst van de processor niet bijhoudt?
  5. Wat is de juiste betekenis van "RAM (random access memory)" in DRAM?

Vergelijkingen bij dit onderwerp