Nederlands
Menu

DRAM

Welke uitspraak over de leesbewerking van DRAM is juist?

  1. ABij het lezen verandert de lading van de cel helemaal niet
  2. BBij het lezen verandert de lading van de cel, dus wordt na versterking met de sense amplifier teruggeschreven naar de cel
  3. CVoor het lezen wordt tunnelstroom met hoge spanning gebruikt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Bij het lezen verandert de lading van de cel, dus wordt na versterking met de sense amplifier teruggeschreven naar de cel

Wanneer de condensator van de cel met de bitlijn wordt verbonden, wordt de lading gedeeld met de grote parasitaire capaciteit van de bitlijn en wordt de oorspronkelijke toestand vernietigd (destructief lezen). Daarom versterkt de sense amplifier een verschil van enkele tientallen tot ruim honderd mV om 0 of 1 vast te stellen en schrijft met de versterkte spanning tegelijk terug naar de cel. Dit terugschrijven werkt in feite als refresh, zodat refresh wordt uitgevoerd door een rij te activeren en weer te sluiten.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over DRAM

  1. Welke combinatie van driedimensionale structuren wordt gebruikt om bij DRAM-cellen voldoende condensatorcapaciteit te behouden?
  2. Welke eigenschap van DRAM is juist?
  3. Wat betekent "DDR (double data rate)" in DDR SDRAM?
  4. Welke lijn in de DRAM-celmatrix is verbonden met de gates van de celtransistors en selecteert de rij die wordt gelezen of geschreven?
  5. Wat gebeurt er gewoonlijk met de tijd dat DRAM-cellen gegevens kunnen vasthouden wanneer de temperatuur stijgt?

Vergelijkingen bij dit onderwerp